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开启电压和阈值电压

都是mos,大多用于开关作用 高阀值的适合高电压pwm驱动,比如10v以上的;低阀值的适合低电压pwm驱动,比如5v左右的.

开启电压又称阈值电压,使得源极S和漏极D之间形成导电沟道所需的栅极的当压,标准的N沟道MOS管VT约为3~6V

正常驱动10-15,不要超过20V.开启的阈值电压4-5V.关断最好有-5到-10V,或者保持低阻.

开启电压就是指IGBT的阈值电压Vth,其值大小还是要看具体的应用,像1200V的IGBT,电磁炉用的一般在5V左右

阈值电压: Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态,是器件由耗尽向反型转变时,是处于临界导通状态.正如你说“根本不需要表面电子浓度大于体内空穴浓度 ”这样MOS器件就不能反型,不能形成沟道,无法正常工作.第二个能带图的理解问题,我回答不了,能力有限

死区电压也叫开启电压,是应用在不同场合的两个名称. 在二极管正负极间加电压,当电压大于一定的范围时二极管开始导通,这个电压叫开启电压.锗管0.1左右,硅管0.5左右.死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时,由于本身的压降

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.电压在范围内一般就导通,电压值不够不导通

场效应管的开启电压就是刚刚想成反型层,产生感生沟道时栅极和源极金的电压,夹断电压就是沟道形成之后在源极和漏极之间加电压,那么漏极的Id电流会逐渐加大,沟道会成逐渐变成楔形,当一端刚好反型层消失时,就是进入夹断区域这时漏极电压就是夹断开始的电压,经过在夹断区域后Id电流保持不变,就如同双极性晶体管放大区一样.之后漏极电压逐渐变大,直到反型层全部消失,这就是最后完全夹断的电压.

开门电平:当电路输入端接额定负载时,使电路输出端处于低电位上限所允许的最低输入电位.关门电平:使电路输出端处于高电位下限所允许的最高输入电位.阈值电压:通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压.噪声容限:在前一极输出为最坏的情况下,为保证后一极正常工作.所允许的最大噪声幅度.

二者没有明确的分界,正向电压稍高于开启电压.二极管从 0V 开始加载正向电压,使二极管脱离死区,就是开启电压;随后二极管进入线性工作区,电压稍微增加一点,电流就增加很大,这个阶段的电压称为正向电压.再增加电压二极管就过流烧毁了.

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